高通骁龙835将随CES 2017一同亮相

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高通骁龙835将随CES 2017一同亮相
2017年1月2

Qualcomm(高通)预计在2017年CES上推出的下一代Android智能手机的Qualcomm处理器。值得注意的是,除了体积从14nm下降到10nm,变得更小巧之外,GPU在VR处理性能上更提升了20%之多。

 

 

早在11月,Qualcomm预告了835的几个一般规格,并详细说明了收缩到10nm的好处。也就是说,与之前的版本相比,性能提高了27%,功耗降低了40%。面积效率增加30%显然还允许更薄的电话和更多的其他部件的空间。

 

 

更具体地说,与Snapdragon 820中的四核2.15GHz和1.6GHz Kyro相比,835的八核心Kyro 280将提高VR处理性能,应用程序加载时间和网络浏览的性能也将提升20%。而且芯片中采用 QuickCharge 4.0 技术。这个技术能起到快速充电效果,到底有多快?套用一下某广告语:充电五分钟,通话5小时!并且内置了 INOV(智能协商最佳电压)技术,比起现在的产品有更大幅度的提升。比起 Quick Charge 3.0,其充电速度提升 20%,充电效率提升 30%。

 

 

CPU继续使用一个big.LITTLE实现具有四个高性能内核,性能可达到2.45GHz。同时,其他四个内核组成了一个“效率集群”,将全力用于画面处理方面,以提高总体效率。

 

 

最重要的Adreno 540 GPU,支持4K 及 60fps显示屏,图形渲染速度提高25%。同时,Hexagon 690 DSP负责数字信号处理,支持TensorFlow,Google的人工智能学习系统。

 

 

从字面数据来看,835的性能确实强大,而要亲身体验这款芯片的效果,恐怕只能等2017的CES了。

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